El módulo, es un módulo de memoria en línea cuádruple
y está diseñado para montarse en sockets de 288
pines. El diseño sincrónico permite un control preciso
del ciclo con el uso del reloj del sistema. Las
transacciones de I/O de datos son posibles en ambos
bordes de DQS. El rango de frecuencias de operación,
latencias programables y longitudes de ráfaga
permiten que el mismo dispositivo sea útil para una
variedad de aplicaciones de sistemas de memoria de
alto ancho de banda y alto rendimiento.

CARACTERÍSTICAS
Fuente de alimentación: VDD = 1.2V (1.14V a
1.26V), VDDQ = 1.2V (1.14V a 1.26V), VPP = 2.5V
(2.375V a 2.75V), VDDSPD = 2.5V (2.2V a 3.6V)
16 bancos (4 grupos de bancos)
Latencia CAS: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18,19
Latencia de escritura CAS (CWL) = 16, 18, 19
Interruptor de longitud de ráfaga (BL) sobre la
marcha BL8 o BC4 (Chorro de ráfaga)
Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de
TCASE 85°C, 3.9us a 85°C
ESPECIFICACIONES
Capacidad: 120GB
Tamaño 2.5 Pulgadas
Lectura max secuencial: 550MB/S
Escritura max secuencial : 420MB/S
Lectura aleatoria máxima en 4k: 30k
Estructura aleatoria máxima en 4k
Consumo máxima de energía 1.28w
Duración (TBW) 40TB
Arquitectura 3D NAND
Interfaz SATA
Protocolo: SATAIII (Compatible con SATA II y SATA I)
Formato 2.5 SATA
MTBF: 1.500.000 horas
Temperatura de funcionamiento 0°c – 70° c
Temperatura de almacenamiento -40° c 85° c